Самсунг Electronics Co., Ltd. объявила о запуске серийного производства первой в области 512-гигабайтной встроенной памяти Universal Flash Storage (eUFS), предназначенной для мобильных устройств обновленного поколения.

Компания сообщила, что ей удалось расположить восемь 64-слойных чипов V-NAND на 512 ГБ и контроллер в корпусе eUFS, который по размеру идентичен 256 ГБ eUFS. Это в 10 раз больше, чем может хранить смартфон с 64 ГБ встроенной памяти. По утверждению компании, новый накопитель обеспечивает фантастический объем, высокую работоспособность и энергоэффективность для будущих лучших телефонов и планшетов без ограничений, характерных microSD-картам. Для подавляющего большинства пользователей 512 Гб встроенной памяти освободит от надобности использовать microSD-карты в принципе.

Чип имеет те же самые размеры, что и 256-гигабайтный, в Самсунг сумели увеличить количество слоев микросхем V-NAND до 64-х. Увеличившийся объем памяти eUFS обеспечит намного больше возможностей при использовании мобильных устройств.

Хоть компания Apple в 2015-м году и выпустила на рынок профессиональные планшеты из линейки iPad Pro, оснащенные в топовой модификации целыми 512 ГБ постоянной флеш-памяти, однако в iPhone X на текущий момент можно встретить только 256 ГБ, хотя стоит он даже дороже.

Память 512 ГБ eUFS от Самсунг также отличается высокой скоростью чтения и записи. Для случайных операций новый eUFS-накопитель способен выдавать 42 000 и 40 000 IOPS в режиме чтения и записи соответственно. Это значит, что на перенос 5-гигабайтного файла уходит всего 6 секунд.

Samsung начала производство модулей памяти для мобильных устройств на 512 Гбайт


В записи нет меток.