Помимо того понятно, что Snapdragon 835 будет изготавливаться по 10-нм техпроцессу.

Все детали о новоиспеченной SoC будут известны уже зимой, а первые устройства (в числе которых, вероятно, будет и Galaxy S8) со Snapdragon 835 на борту появятся к середине грядущего года.

Одной из основных отличительных особенностей SoC Snapdragon 835 будет поддержка технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0, о которой мы писали накануне.

Qualcomm обещает прирост в скорости зарядки на 20 процентов. Quick Charge 4 также содержит в себе USB Type-C и поддержку USB-PD, что делает более известное в области зарядное решение совместимым с самыми разными кабелями и адаптерами. Решение дает возможность владельцам премиум телефонов пользоваться смартфоном на протяжении 5 и не менее часов после всего 5 мин. зарядки.

Компания Qualcomm представила обновленный тип технологии быстрой зарядки для мобильных устройств. Кроме того, в Quick Charge 4.0 предусмотрена защита от перезарядки. После того, как произошли самые большие неприятности со взрывами устройств Galaxy Note 7 (по некоторым версиям первопричиной могла быть быстрая зарядка, но, пока что, такие умозаключения носят теоретический характер), приятно увидеть, что в отношении вероятных сложностей предприняты надлежащие меры защиты. Имя ей — Quick Charge 4, она до 20 процентов скорее и до 30 процентов результативнее, чем Quick Charge 3.0. Другими словами, крайне сомнительно, что зарядное устройство либо кабель когда-то полыхнут ярким пламенем станут предпосылкой пожара либо нанесут повреждения имуществу.

Qualcomm анонсировала флагманскую SoC Snapdragon 835 с поддержкой быстрой зарядки Quick Charge 4.0


В записи нет меток.