На саммите Snapdragon Technology компания Qualcomm представила новые флагманские чипсеты Snapdragon 835.

Понятно, что в чипе применена новая технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, благодаря которой заряжать устройства можно будет в 2,5 раза быстрее.

Snapdragon 835 стал производительнее на треть, при всем этом энергопотребление снижено на 40% (по сравнению с 14 нм техпроцессом).

Процессор изготовлен по 10-нанометровому техпроцессу FinFET, что дает возможность на 27% поднять работоспособность чипа и на 40% снизить его энергопотребление. Странно, что следующая итерация получила имя Snapdragon 835, но не 830, хотя может быть такое, что версия с индексом 830 появится немного позже в качестве не менее бюджетного предложения.

Основной же темой пресс-конференции стала технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, ведь Snapdragon 835 — это первая система-на-чипе, в которой она будет использоваться. Он будет выпускаться на мощностях Самсунг. И 10 нм технология является на текущий момент самой тонкой технологией производства. Этот мобильный процессор будет преемником популярным моделям Snapdragon 820 и Snapdragon 821. В сравнении с 14-нм FinFET-чипами у 10-нм кристаллов действенная площать поверхности увеличена на 30%, работоспособность — на 27%, а энергопотребление снижено на 40%. Обновленный тип фирменной технологии быстрой зарядки Qualcomm призвано еще сильнее ускорить процесс зарядки, обеспечить совместимость с максимально широким перечнем кабелей, зарядных устройств и аксессуаров и повысить безопасность. Всего 5 мин. зарядки телефона с таким чипом хватит на 5 часов его автономной работы. Половину заряда батареи можно будет восстановить за 15 минут. Немаловажно и то, что новая технология совместима со стандартом USB Power Delivery, тогда как прошлые версии такой совместимостью не обладали.

Приобрести зарядники Quick Charge 4 можно будет, как вместе с мобильными устройствами, так и отдельно.

Quick Charge 4.0 и совместимость с USB DP


В записи нет меток.